GCJF-209B TEV局部放電巡檢儀
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產(chǎn)品名稱: GCJF-209B TEV局部放電巡檢儀
產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品展商: 菲柯特
產(chǎn)品文檔: 無相關(guān)文檔
簡單介紹
GCJF-209B TEV局部放電巡檢儀
暫態(tài)對地電壓(TEV)測量和超聲波(US)測量
信號多周期觀察/放電進行頻率識別
內(nèi)同步,外同步,光同步
GCJF-209B TEV局部放電巡檢儀標(biāo)準(zhǔn):局部放電GB/T 7354 、 DL/T 417
GCJF-209B TEV局部放電巡檢儀
的詳細(xì)介紹
產(chǎn)品特點
局部放電巡檢儀采用暫態(tài)對地電壓(TEV)測量和超聲波(US)測量兩種新興技術(shù)對開關(guān)柜進行故障檢測。 設(shè)備采用便攜式,操作簡單,TEV傳感器貼在箱壁,US傳感器沿著開關(guān)柜上的縫隙掃描檢測,對高壓開關(guān)及開關(guān)柜無任何損害,所有的檢測對高壓開關(guān)及開關(guān)柜設(shè)備的運行不產(chǎn)生任何影響。該產(chǎn)品可以對測量進行信號多周期觀察,對放電進行頻率識別,并通過多種模式進行分析,能夠清楚地判斷出開關(guān)柜是否出現(xiàn)故障。其測量技術(shù)在國內(nèi)外已達(dá)優(yōu)越水平。
暫態(tài)對地電壓(TEV)測量原理:
當(dāng)配電設(shè)備發(fā)生局部放電現(xiàn)象時,帶電離子會快速地由帶電體向接地的非帶電體快速遷移,如配電設(shè)備的柜體,并在非帶電體上產(chǎn)生電流行波,且以光速向各個方向快速傳播。受集膚效應(yīng)的影響,電流行波往往僅集中在柜體的內(nèi)表面,而不會直接穿透金屬柜體。但是當(dāng)電流行波遇到不連續(xù)的金屬斷開或絕緣連接處時,電流行波會有金屬柜體內(nèi)表面轉(zhuǎn)移到外表面,并以電磁波形式向自由空間傳播,且在金屬外表面產(chǎn)生暫態(tài)地電壓。而該電壓可用專用的TEV傳感器布置在開關(guān)柜外面進行測量。TEV傳感器類似傳統(tǒng)的RF耦合電容器,其殼體可做絕緣和保護雙重功能,傳感器內(nèi)部可感應(yīng)出高頻脈沖電流信號。
超聲波(US)測量原理:
局部放電發(fā)生前,放點點周圍的電場力絕緣介質(zhì)的機械應(yīng)力和粒子力處于相對平衡狀態(tài)。局部放電發(fā)生時電荷的快速釋放或遷移使電場發(fā)生改變,打破了平衡狀態(tài),引起周圍粒子發(fā)生震蕩性機械運動,從而產(chǎn)生聲音或振動信號。超聲波法通過在設(shè)備腔體外壁上安裝超聲波傳感器來測量局部放電信號。該方法特點是傳感器與地理設(shè)備的電氣回路無任何聯(lián)系,不受電器方面的干擾,但在現(xiàn)場使用時容易受周圍環(huán)境噪聲或設(shè)備機械振動的影響。由于超聲信號在電力設(shè)備常用絕緣材料中的衰減較大,超聲波檢測法的檢測范圍有限,但具有定位準(zhǔn)確度高的優(yōu)點。局部放電產(chǎn)生的聲波的頻譜很寬,可以從幾十Hz 到幾MHz,其中頻率低于20kHz 的信號能夠被人耳聽到,而高于這一頻率的超聲波信號必須用超聲波傳感器才能接收到。通過測量超聲波信號的聲壓大小,推測放電的強弱。
技術(shù)參數(shù)
主機參數(shù)
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可檢測通道數(shù)
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2個通道,1個TEV通道,1個US通道
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采樣精度
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12bit
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同步方式
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內(nèi)同步,外同步,光同步
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TEV參數(shù)
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檢測帶寬
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3M-80MHz
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測量范圍
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0~60dB
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測量誤差
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±1dB
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分辨率
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1dB
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每周期*大脈沖數(shù)
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720個
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*小脈沖頻率
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10Hz
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輸出接口
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標(biāo)準(zhǔn)SMA
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US參數(shù)
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中心頻率
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40kHz
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分辨率
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0.1uV
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精度
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±0.1uV
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測量范圍
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0.5uV~1mV
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輸出接口
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標(biāo)準(zhǔn)SMA
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硬件
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顯示屏
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4.3” TFT真彩色液晶顯示屏
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分辨率
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480×272
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操作
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薄膜按鍵
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存儲
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SD卡標(biāo)配16G卡,*大支持32G
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接口
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3.5mm立體聲耳機插孔
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DC-005低壓直流充電器輸入口
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充電LED指示燈
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RS232調(diào)試口
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USBD同步口
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USB2.0
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網(wǎng)口
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SD卡插槽
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電源
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內(nèi)部電源
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電池供電(16.8V鋰電池)
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正常工作時間
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約7小時,充滿時間約3小時
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尺寸
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長×寬×高
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235mm×133mm×48mm
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重量
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0.85kg
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環(huán)境
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使用環(huán)境溫度
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-20℃至50℃
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存儲環(huán)境溫度
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-40℃~70℃
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濕度
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10%-90%(非冷凝)
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海拔高度
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≤3000m
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