QS30型高精密高壓電容電橋
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產品名稱: QS30型高精密高壓電容電橋
產品型號: QS30型高精密高壓電容電橋
產品展商: 菲柯特
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簡單介紹
QS30型高精密高壓電容電橋 是采用電流比較儀的原理,結合計算機數據處理,具有操作方便可靠、測量精度高、讀數位數多、線性度好,不受環境影響,儀器內部的計算機能自動對測試數據進行處理,直接在面板上顯示電容值及介損值tgδ和測試電壓及流經標準電容的電流(Is),并可通過打印機將測試結果打印出來或通過RS232接口將測試結果傳給電腦等優點。
QS30型高精密高壓電容電橋
的詳細介紹
QS30型高精密高壓電容電橋
QS30型高精密高壓電容電橋是采用電流比較儀的原理,結合計算機數據處理,具有操作方便可靠、測量精度高、讀數位數多、線性度好,不受環境影響,儀器內部的計算機能自動對測試數據進行處理,直接在面板上顯示電容值及介損值tgδ和測試電壓及流經標準電容的電流(Is),并可通過打印機將測試結果打印出來或通過RS232接口將測試結果傳給電腦等優點。電橋可與各類高壓標準電容器配合組成高壓電容電橋,適宜于在高電壓下測量電力電纜、高壓套管、電力電容器、互感器等高壓電力設備的電容量及損耗角正切值tgδ,以及各種固體或液體絕緣材料的介電常數(ε)及損失角正切值,也可測量高壓變壓器或電壓互感器的比差和角差,還可測量電抗器的電感量及Q值,是目前國內精度*高、穩定性好、操作方便、用途廣泛的高精密高壓電橋。電橋可外接電流互感器(QS30-3)以擴大量程,測量大電容時本電橋為四端測量具有引線補償裝置,使測量精度提高,消除接線電阻引起的附加誤差。量程擴展器能使主橋體的電容比從1000:1擴大到106 :1。
主要技術指標
電容測量范圍0~1μF,外加量程擴展可測1000μF以上
電容的測量準確度:±5×10-5
電橋tgδ范圍為-11.111%到+11.111%
tgδx測量準確度不大于±0.5% tgδx±5×10-5
電橋*大工作電流:電橋標準臂*大允許電流為30mA。通過被測臂*大電流與倍率位置有關被測*大不超過2A,如測試需要則需外接電流互感器*大1000A以上。
分辨率:當通過標準電容器的電流為0.1mA時,且電容比率讀數**只盤為滿度時,在電橋完全平衡時,其電容比及介損盤的分辨率均為1×10-5。
標準電容量預置范圍:0000.00到1999.99pF。
電橋內有過電壓保護措施,氖泡起輝電壓不超過交流30伏。
試驗電壓顯示:范圍0到499.9kV 分辨率為0.1Kv。
外形尺寸:560(寬)*410(深)*390(高)毫米。
重量:約35公斤。
QS30-3型量程擴展器(外接, 供選購)
技術指標:*大電流1000安
精度:(當電橋量范在1000:1時)±1×10-5。
也可定制擴展量程比例更大的。
QS37a型高壓電容電橋
QS37a主要用于測量高壓工業絕緣材料的介質損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經典線路。主要可以測量電容器、互感器、變壓器等各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質損耗(tgδ)和電容量( Cx)以,其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。由于電橋內附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標準電容器,并將副橋和檢流計與高壓電橋有機的結合在一起,所以本電橋特別適應測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgδ)及介電常數(ε)。
橋體本身帶有5kV/100pF標準電容,測量材料介損更為方便。
橋體內附電位跟蹤器及指另儀,外圍接線及少。
橋體采用了多樣化的介損測量線路。
測量范圍及誤差
在Cn=100pF R4=3183.2(Ω)(即10K/π)時
測量項目 |
測量范圍 |
測量誤差 |
電容量Cx |
40pF--20000pF |
±0.5% Cx±2pF |
介質損耗tgδ |
0~1 |
±1.5%tgδx±1×10-4 |
在Cn=100pF R4=318.3(Ω)(即1K/π)時
測量項目 |
測量范圍 |
測量誤差 |
電容量Cx |
4pF--2000pF |
±0.5% Cx±2pF |
介質損耗tgδ |
0~0.1 |
±1.5%tgδx±1×10-4 |
Cx=R4×Cn/R3
tgδ=ω·R4·C4
高壓電源技術特性
電壓輸出:0~2500V/50Hz
高壓電流輸出:0~20mA
內置標準電容器
電容量的名義值為100pF
tgδ小于5×10-5
QS37型高壓電橋
QS37型高壓電橋主要用于測量高壓工業絕緣材料的介質損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經典線路。電橋由橋體、指另儀、跟蹤器組成,本電橋特別適用測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgδ)及介電常數(ε)。
測量范圍及誤差
在Cn=100pF R4=3183.2(Ω)(即10K/π)時
測量項目 |
測量范圍 |
測量誤差 |
電容量Cx |
40pF--20000pF |
±0.5% Cx±2pF |
介質損耗tgδ |
0~1 |
±1.5%tgδx±1×10-4 |
在Cn=100pF R4=318.3(Ω)(即1K/π)時
測量項目 |
測量范圍 |
測量誤差 |
電容量Cx |
4pF--2000pF |
±0.5% Cx±2pF |
介質損耗tgδ |
0~0.1 |
±1.5%tgδx±1×10-4 |
輔橋的技術特性
工作電壓±12V,50Hz
輸入阻抗〉10-12 Ω
輸出阻抗〉0.6 Ω
放大倍數〉0.99
不失真跟蹤電壓 0~12V(有效值)
指另裝置的技術特性
工作電壓±12V
在50Hz時電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格
二次諧波 減不小于25db
三次諧波 減不小于50db